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    STL200C

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  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

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    0755-84875764”13725596657“17503034873曾先生深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟110311012598

  • STL200N45LF7
  • ST 
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  • 深圳市百潤(rùn)電子有限公司

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    13430483190麥逸芬深圳市華強(qiáng)北華強(qiáng)廣場(chǎng)C座7樓001室11012848

  • STL200N45LF7
  • STMicroelectronics 
  • 原裝 
  • 2021+ 
  • 11250 
  • 原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存,價(jià)錢優(yōu)勢(shì)。 

STL200N45LF7 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:STMicroelectronics
  • PDF文件大?。?.43 Mbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù):共36頁(yè)
  • 描述:MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT
STL200N45LF7技術(shù)規(guī)格
  • 系列:STripFET? F7
  • FET類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):120A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):33nC @ 4.5V
  • 不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):5170pF @ 25V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 功率耗散(最大值):150W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):1.8 毫歐 @ 18A,10V
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-PowerVDFN
  • 極性Polarity:N-CH
  • 漏源極擊穿電壓VDSS:45V
  • 連續(xù)漏極電流ID:120A
  • 無鉛情況/RoHs:
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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