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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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STL23NM60ND PDF資料
- 資料下載
- 制造商:STMicroelectronics
- PDF文件大?。?.57 Mbytes
- PDF文件頁數(shù):共15頁
- 描述:MOSFET N-Ch 600V 0.150 Ohm 19.5 A Fdmesh II
STL23NM60ND技術(shù)規(guī)格
- 制造商:STMicroelectronics
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:PowerFLAT-8x8-HV-5
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
- Id-連續(xù)漏極電流:19.5 A
- Rds On-漏源導通電阻:150 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
- Qg-柵極電荷:70 nC
- Pd-功率耗散:3 W
- 配置:Single
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 系列:STL23NM60ND
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 商標:STMicroelectronics
- 下降時間:40 ns
- 濕度敏感性:Yes
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時間:45 ns
- 工廠包裝數(shù)量:3000
- 子類別:MOSFETs
- 單位重量:15 g
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