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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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STL220N3LLH7 PDF資料
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- 制造商:STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
- PDF文件大?。?214.51 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共15頁
- 描述:High avalanche ruggedness
STL220N3LLH7技術(shù)規(guī)格
- 系列:DeepGATE?,STripFET? VII
- FET類型:N 溝道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):220A(Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
- 不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):46nC @ 4.5V
- 不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):8650pF @ 25V
- Vgs(最大值):±20V
- 功率耗散(最大值):113W(Tc)
- 不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):1.1 毫歐 @ 25A,10V
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線
- 封裝形式Package:Power
- 極性Polarity:N-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS:30V
- 連續(xù)漏極電流ID:220A
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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