系列：DeepGATE?，STripFET? VII
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：220A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：46nC @ 4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：8650pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：113W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.1 毫歐 @ 25A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerSMD，扁平引線
封裝形式Package：Power
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：220A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs