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STL16N60M2
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PowerFLAT-5x6-HV-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:355 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:19 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:MDmesh

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1 mm

長(zhǎng)度:6.35 mm

產(chǎn)品:Power MOSFET

系列:STL16N60M2

類型:MDmesh M2

寬度:5.4 mm

商標(biāo):STMicroelectronics

下降時(shí)間:18.5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:9.5 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:58 ns

典型接通延遲時(shí)間:10.5 ns

單位重量:130 mg

介紹圖STL16N60M2
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
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