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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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FCD4N60TM_WS PDF資料
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- 制造商：ON Semiconductor
- PDF文件大?。?54.67 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共10頁
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
FCD4N60TM_WS技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：600V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：3.9A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：16.6nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：540pF @ 25V
- 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.2 歐姆 @ 2A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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