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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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FCD600N65S3R0 PDF資料
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- 制造商:ON Semiconductor
- PDF文件大?。?97.27 Kbytes
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- 描述:MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
FCD600N65S3R0技術(shù)規(guī)格
- 制造商:ON Semiconductor
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TO-252-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
- Id-連續(xù)漏極電流:6 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:600 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
- Qg-柵極電荷:11 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:54 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 系列:SuperFET3
- 商標(biāo):ON Semiconductor
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:3.6 S
- 下降時間:14 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時間:9 ns
- 工廠包裝數(shù)量:2500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時間:29 ns
- 典型接通延遲時間:11 ns
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))