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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BBS3002-DL-1E PDF資料
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- 制造商：ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大小：98.92 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共6頁
- 描述：P-Channel Power MOSFET
BBS3002-DL-1E技術(shù)規(guī)格
- FET類型：P 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：100A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V
- 不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：280nC @ 10V
- 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：13200pF @ 20V
- Vgs（最大值）：±20V
- 功率耗散（最大值）：90W（Tc）
- 不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：5.8 毫歐 @ 50A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 封裝形式Package：D2PAK
- 極性Polarity：P-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS：60V
- 連續(xù)漏極電流ID：100A
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：280nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：13200pF @ 20V
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：5.8 毫歐 @ 50A，10V
- FET 類型：P 溝道
- 漏源極電壓（Vdss）：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：100A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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