FET類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：100A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：280nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：13200pF @ 20V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：90W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5.8 毫歐 @ 50A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
封裝形式Package：D2PAK
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：60V
連續(xù)漏極電流ID：100A
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：280nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：13200pF @ 20V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：5.8 毫歐 @ 50A，10V
FET 類型：P 溝道
漏源極電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：100A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs