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STL20N6F7
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:20 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5.4 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:25 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:78 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:STripFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.8 mm

長度:3.3 mm

系列:STL20N6F7

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:3.3 mm

商標(biāo):STMicroelectronics

下降時(shí)間:7.8 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:17.6 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:24.4 ns

典型接通延遲時(shí)間:15 ns

單位重量:28 mg

介紹圖STL20N6F7
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
STL20N6F7MOSFET N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 packageSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO-天天IC網(wǎng)283.80 Kbytes共13頁STL20N6F7的PDF文件地址 STL20N6F7的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
STL20N6F7MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLATSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO-天天IC網(wǎng)370.87 Kbytes共13頁STL20N6F7的PDF文件地址 STL20N6F7的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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