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STL19N60M2
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產品種類:MOSFET

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PowerFLAT-8x8-HV-5

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:11 A

Rds On-漏源導通電阻:278 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:21.5 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:90 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:MDmesh

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:STL19N60M2

晶體管類型:1 N-Channel

商標:STMicroelectronics

正向跨導 - 最小值:-

下降時間:10.6 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:9 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:47 ns

典型接通延遲時間:12 ns

介紹圖STL19N60M2
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
STL19N60M2MOSFET N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO-天天IC網(wǎng)606.66 Kbytes共14頁STL19N60M2的PDF文件地址 STL19N60M2的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
STL19N60M2MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HVSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO-天天IC網(wǎng)624.13 Kbytes共14頁STL19N60M2的PDF文件地址 STL19N60M2的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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