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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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ZXMHC3A01N8TC PDF資料
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- 制造商:DIODES[Diodes Incorporated]
- PDF文件大?。?27.46 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共11頁(yè)
- 描述:30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
ZXMHC3A01N8TC技術(shù)規(guī)格
- 類(lèi)別:Power MOSFET
- 通道模式:Enhancement
- 渠道類(lèi)型:N, P
- 配置:Quad
- 外形尺寸:5 x 4 x 1.5mm
- 身高:1.5mm
- 長(zhǎng)度:5mm
- 最大連續(xù)漏極電流:-2.06 (P-Channel) A, 2.72 (N-Channel) A
- 最大漏源電阻:0.18 (N-Channel) Ω, 0.33 (P-Channel) Ω
- 最大漏源電壓:30 (N-Channel) V, -30 (P-Channel) V
- 最大門(mén)源電壓:±20 V
- 最高工作溫度:+150 °C
- 最大功率耗散:1.36 W
- 最低工作溫度:-55 °C
- 安裝類(lèi)型:Surface Mount
- 每個(gè)芯片的元件數(shù):4
- 包裝類(lèi)型:SO
- 引腳數(shù):8
- 典型柵極電荷@ VGS:3.9 nC V @ 10 (N-Channel), 5.2 nC V @ -10 (P-Channel)
- 典型輸入電容@ VDS:190 pF @ 25 V (N-Channel), 204 pF @ -15 V (P-Channel)
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:12.1 (P-Channel) ns, 6.6 (N-Channel) ns
- 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間:1.2 (P-Channel) ns, 1.7 (N-Channel) ns
- 寬度:4mm
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