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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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ZXM61P02FTC PDF資料
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- 制造商:ZETEX[Zetex Semiconductors]
- PDF文件大小:228.47 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共7頁
- 描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM61P02FTC技術規(guī)格
- Rohs:Lead free / RoHS Compliant
- 標準包裝:10,000
- FET 型
:MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- FET特點:Logic Level Gate
- 漏極至源極電壓(VDSS):20V
- 電流-連續(xù)漏極(編號)@ 25°C:900mA
- Rds(最大)@ ID,VGS:600 mOhm @ 610mA, 4.5V
- VGS(TH)(最大)@ Id:700mV @ 250μA
- 柵極電荷(Qg)@ VGS:3.5nc @ 4.5V
- 輸入電容(Ciss)@?Vds的:150pF @ 15V
- 功率 - 最大:625mW
- 安裝類型
:Surface Mount
- 包/盒
:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 供應商器件封裝:SOT-23-3
- 包裝材料
:Tape & Reel (TR)
- FET特點:Logic Level Gate
- 封裝:Tape & Reel (TR)
- 安裝類型:Surface Mount
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C:900mA (Ta)
- 的Vgs(th ) (最大)@ Id:700mV @ 250μA
- 封裝/外殼:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS:600 mOhm @ 610mA, 4.5V
- FET型:MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 最大:625mW
- 標準包裝:10,000
- 漏極至源極電壓(Vdss):20V
- 輸入電容(Ciss ) @ VDS:150pF @ 15V
- 閘電荷(Qg ) @ VGS:3.5nC @ 4.5V
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