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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
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13 年
0755-83663056 18922805453,18929374037,18922803401 連 0755-82537787 深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓 1 1016516
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VNN3NV04PTR-E PDF資料
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制造商:STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
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PDF文件頁數(shù):共22頁
描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNN3NV04PTR-E技術(shù)規(guī)格
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: 門驅(qū)動器
RoHS: 是
產(chǎn)品: MOSFET Gate Drivers
類型: Low Side
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223
激勵器數(shù)量: 1 Driver
輸出端數(shù)量: 1 Output
輸出電流: 3.5 A
上升時間: 250 ns
下降時間: 250 ns
電源電壓-最小: 2.5 V
電源電壓-最大: 55 V
工作電源電流: 100 uA
Pd-功率耗散: 35 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: VNN3NV04P-E
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
工作溫度范圍: - 40 C to + 150 C
技術(shù): Si
商標(biāo): STMicroelectronics
最大關(guān)閉延遲時間: 450 ns (Typ)
最大開啟延遲時間: 90 ns (Typ)
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Gate Drivers
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: PMIC - Power Management ICs
單位重量: 112 mg
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