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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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VBT3060C-E3/8W PDF資料
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- 制造商:VISHAY[Vishay Siliconix]
- PDF文件大?。?73.59 Kbytes
- PDF文件頁數:共5頁
- 描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VBT3060C-E3/8W技術規(guī)格
- 二極管配置1 對共陰極
- 二極管類型肖特基
- 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)60V
- 電流 - 平均整流(Io)(每二極管)15A
- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf700mV @ 15A
- 速度快速恢復 =< 500 ns,> 200mA(Io)
- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流1.2mA @ 60V
- 工作溫度 - 結-40°C ~ 150°C
- 安裝類型表面貼裝
- 封裝/外殼TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應商器件封裝TO-263AB
- 無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs
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