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  • 制造商:VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]
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  • PDF文件頁數:共9頁
  • 描述:Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET
VBA4658技術規(guī)格
  • 商品類型MOS(場效應管)
  • 漏源電壓(Vdss)60V
  • 連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時)5.3A(Tc)
  • 柵源極閾值電壓3V @ 250uA
  • 漏源導通電阻54mΩ @ 6.3A,10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C)4W(Tc)
  • 類型雙P溝道
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