�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w�衢ISS01011808
-
VB40M120C-E3/4W
��3�l������̖(h��o)��Ϣ
- Vishay Semiconductor Diodes Division��
- ԭ�b��Ʒ��
- 19+��
- 5660��
- ֻ��ԭ�b��
-


VB40M120C PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�VISHAY[Vishay Siliconix]
- PDF�������625.55 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����4�
- ������Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VB40M120C-E3/4W���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ���O������1 ��(du��)��ꎘO
- ���O�����Ф�ػ�
- 늉� - DC ����Vr�������ֵ��120V
- ��� - ƽ��������Io����ÿ���O�ܣ�20A
- ��ͬ If �r(sh��)��늉� - ����Vf890mV @ 20A
- �ٶ����ٻ֏�(f��) =< 500 ns��> 200mA��Io��
- ��ͬ?Vr �r(sh��)����� - ����©���500��A @ 120V
- �����ض� - �Y(ji��)-40��C ~ 150��C
- ���b��������N�b
- ���b/�⚤TO-263-3��D2Pak��2 ���� + ��Ƭ����TO-263AB
- ����(y��ng)���������bTO-263AB
- �o�U��r/RoHs�o�U/����RoHs
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
VB40M120C���P(gu��n)��̖(h��o)