�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
VB30100C
��7�l������̖(h��o)��Ϣ
- VISHAY��
- TO-263��
- 18+��
- 6520��
- ԭ�b��Ʒ��
-
VB30100C PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�VISHAY[Vishay Siliconix]
- PDF�ļ�������167.4 Kbytes
- PDF�ļ��(y��)��(sh��)����5�(y��)
- ������Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A
VB30100C-E3/4W���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Vishay
- �a(ch��n)Ʒ�N�:Ф�ػ����O���c������
- RoHS:��
- �a(ch��n)Ʒ:Schottky Rectifiers
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:D2PAK (TO-263AB)
- If - �������:30 A
- Vrrm - �؏�(f��)����늉�:100 V
- Vf - ����늉�:0.8 V
- Ifsm - ������ӿ���:160 A
- ����:Dual Common Cathode
- ���g(sh��):Si
- Ir - ������� :500 uA
- ��С�����ض�:- 40 C
- ������ض�:+ 150 C
- ϵ��:Vx30xx0x
- ���b:Tube
- �߶�:4.83 mm
- �L(zh��ng)��:10.45 mm
- �����ضȷ���:- 40 C to + 150 C
- �˽����:Through Hole
- ���:Schottky Diode
- ����:9.14 mm
- �̘�(bi��o):Vishay Semiconductors
- �a(ch��n)Ʒ���:Schottky Diodes & Rectifiers
- ���S���b��(sh��)��:1000
- ��e:Diodes & Rectifiers
- �̘�(bi��o)��:TMBS
- �����:1.380 g
ُ(g��u)�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
VB30100C���P(gu��n)��̖(h��o)
![P(gun)]](/imgs/dlgclose.gif "P(gun)]")
