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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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TK9A55DA(STA4,Q,M) PDF資料
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- 制造商:Toshiba
- PDF文件大小:189.27 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共6頁
- 描述:MOSFET N-Ch MOS 8.5A 550V 40W 1050pF 0.86
TK9A55DA(STA4,Q,M)技術(shù)規(guī)格
- 數(shù)據(jù)列表:TK9A55DA -
- 標準包裝:50
- 類別:分立半導體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:-
- 包裝:管件
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標準
- 漏源極電壓(Vdss):550V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.5A(Ta)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):860 毫歐 @ 4.3A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1050pF @ 25V
- 功率 - 最大值:40W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3 整包
- 供應商器件封裝:TO-220SIS
- 其它名稱:TK9A55DA(STA4QM)TK9A55DASTA4QM
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