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  • 柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

    0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516

    SUD35N10-26P-E3 MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)

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  • 深圳市宸遠(yuǎn)科技有限公司

    4年

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  • VBSEMI/臺(tái)灣微碧　
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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

    13267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790

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  • VBsemi(微碧半導(dǎo)體)　
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  • 深圳市宇浩揚(yáng)科技有限公司

    10年

    0755-8322300313826514222余先生，張先生0755-83249919深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟31611011818

  • SUD35N10-26P-E3-VB
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  • 深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司

    4年

    0755-8320414118118747668許小姐深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽 格科技園4棟東5層50211017049

  • SUD35N10-26P-E3-VB
  • VBSEMI/微碧半導(dǎo)體　
  • TO252　
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  • 臺(tái)積電晶圓長(zhǎng)電封裝微碧原裝可長(zhǎng)久大量供應(yīng)　

SUD35N10-26P-GE3 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：Vishay / Siliconix
  • PDF文件大?。?82.51 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共9頁(yè)
  • 描述：MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V
SUD35N10-26P-GE3技術(shù)規(guī)格
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
  • 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：TrenchFET®
  • 包裝：帶卷（TR）
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）：100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：35A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：26 毫歐 @ 12A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4.4V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：47nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：2000pF @ 12V
  • 功率 - 最大值：83W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝：TO-252，（D-Pak）
  • 其它名稱：SUD35N10-26P-GE3TRSUD35N1026PGE3
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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