�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
SUD35N10-26P-E3 MOS(��(ch��ng)��(y��ng)��)
���
ֱͨ܇
-
-
-
-
�����ջ�
SUD35N10-26P-GE3 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Vishay / Siliconix
- PDF�������182.51 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����9�(y��)
- ������MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V
SUD35N10-26P-GE3���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ��(bi��o)��(zh��n)���b��2,000
- e�������댧(d��o)�w�a(ch��n)Ʒ
- ��ͥ��FET - ��
- ϵ�У�TrenchFET®
- ���b��������TR��
- FET ��ͣ�MOSFET N ͨ��������������
- FET ���ܣ���(bi��o)��(zh��n)
- ©Դ�O늉���Vdss����100V
- ��� - �B�m(x��)©�O��Id����25��C �r(sh��)����35A��Tc��
- ��ͬ?Id��Vgs �r(sh��)��?Rds On�����ֵ����26 ���W @ 12A��10V
- ��ͬ Id �r(sh��)�� Vgs��th�������ֵ����4.4V @ 250µA
- ��ͬ Vgs �r(sh��)�ĖŘO늺ɣ�Qg����47nC @ 10V
- ��ͬ Vds �r(sh��)��ݔ����ݣ�Ciss����2000pF @ 12V
- ���� - ���ֵ��83W
- ���b��ͣ������N�b
- ���b/�⚤��TO-252-3��DPak��2 ����+��Ƭ����SC-63
- ����(y��ng)���������b��TO-252����D-Pak��
- �������Q��SUD35N10-26P-GE3TRSUD35N1026PGE3
ُ(g��u)�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
SUD35N10-26P-E3 MOS(��(ch��ng)Ч��(y��ng)��)���P(gu��n)��̖(h��o)