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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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SUD08P06-155L-GE3 PDF資料
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- 制造商:Vishay / Siliconix
- PDF文件大小:155.53 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共8頁
- 描述:MOSFET -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH
SUD08P06-155L-GE3技術(shù)規(guī)格
- 系列:TrenchFET?
- FET類型:P 溝道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):8.4A(Tc)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):19nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):450pF @ 25V
- Vgs(最大值):±20V
- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),20.8W(Tc)
- 不同?Id,Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):155 毫歐 @ 5A,10V
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 封裝形式Package:DPAK
- 極性Polarity:P-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS:60V
- 連續(xù)漏極電流ID:8.2A
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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SUD08P06-155L-GE3相關(guān)型號