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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
STU612D MOS(場效應(yīng)管)
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STU630S PDF資料
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- 制造商:SAMHOP[SamHop Microelectronics Corp.]
- PDF文件大小:123.38 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共8頁
- 描述:Super high dense cell design for low RDS(ON).
STU65N3LLH5技術(shù)規(guī)格
- 其它有關(guān)文件:STU65N3LLH5 View All Specifications
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:STripFET?? V
- 包裝:管件
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓(Vdss):30V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):65A(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.3 毫歐 @ 32.5A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1290pF @ 25V
- 功率 - 最大值:50W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
- 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak
- 其它名稱:497-13446
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