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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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STL33N60DM2 PDF資料
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- 制造商:STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
- PDF文件大小:784.46 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共15頁
- 描述:N-channel 600 V, 0.115(ohm) typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
STL33N60DM2技術(shù)規(guī)格
- 制造商:STMicroelectronics
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:PowerFLAT-8x8-HV-5
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
- Id-連續(xù)漏極電流:21 A
- Rds On-漏源導通電阻:115 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
- Qg-柵極電荷:43 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:150 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標名:MDmesh
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 系列:STL33N60DM2
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 商標:STMicroelectronics
- 下降時間:9 ns
- 濕度敏感性:Yes
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時間:8 ns
- 工廠包裝數(shù)量:3000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時間:62 ns
- 典型接通延遲時間:17 ns
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