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    SPB04N60C2(04N60C2)

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SPB04N60C3 PDF資料
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  • 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
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  • PDF文件頁數(shù):共14頁
  • 描述:Cool MOS Power Transistor
SPB04N60C3技術(shù)規(guī)格
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):490pF @ 25V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 功率耗散(最大值):50W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):950 毫歐 @ 2.8A,10V
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:PG-TO263-3
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源極電壓(Vdss):650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 200μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 通道數(shù)量:1Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:600V
  • Id-連續(xù)漏極電流:4.5A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:950mOhms
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20V
  • 最小工作溫度:-55C
  • 最大工作溫度:+150C
  • 配置:Single
  • Pd-功率耗散:50W
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標(biāo)名:CoolMOS
  • 封裝:CutTape
  • 高度:4.4mm
  • 長度:10mm
  • 系列:CoolMOSC3
  • 晶體管類型:1N-Channel
  • 寬度:9.25mm
  • 下降時間:9.5ns
  • 上升時間:2.5ns
  • 典型關(guān)閉延遲時間:58.5ns
  • 典型接通延遲時間:6ns
  • 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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