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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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SE2N7002K(ESD) PDF資料
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- 制造商:SINO-IC(光宇睿芯)
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- 描述:連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):300mA 漏源電壓(Vdss):60V 柵源極閾值電壓:850mV @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻:2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 類型:N溝道
SE2N7002K(ESD)技術(shù)規(guī)格
- 商品類型MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)
- 漏源電壓(Vdss)60V
- 連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí))300mA
- 柵源極閾值電壓850mV @ 250uA
- 漏源導(dǎo)通電阻2Ω @ 500mA,10V
- 最大功率耗散(Ta=25°C)350mW
- 類型N溝道
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