�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/�����ߡ�NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w�衢ISS01011808
-
S2-STW8Q14C(X5CA10Y3)
- SEOUL��
- ��
- 18+��
- 6520��
- ԭ�b��Ʒ��
-
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/�����ߡ�NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
S-2-T-10-G D/C
- Smiths Interconnect / IDI��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 335��
- ԭ�b��Ʒ��
-
S2-STW8C2SB PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�SEOUL[Seoul Semiconductor]
- PDF�ļ�������1314.34 Kbytes
- PDF�ļ��(y��)��(sh��)����30�(y��)
- ������Achieving the best system cost in Mid/High Power
S2-STW8C2SB(DISTY)���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ���b��(bi��o)��(zh��n)�펧
- ϵ��3030
- �����B(t��i)ͣ�a(ch��n)
- �ɫ��ɫ
- CCT��K��-
- 85��C �r(sh��)ͨ������� - �y(c��)ԇ-
- 25��C �r(sh��)ͨ������� - �y(c��)ԇ-
- ��� - �y(c��)ԇ100mA
- 늉� - ����Vf��������ֵ��6.1V
- ��ͬ�y(c��)ԇ����r(sh��)������/��-
- CRI�����@ɫָ��(sh��)��80
- ��� - ���ֵ200mA
- ҕ��120��
- ���b��������N�b��
- ���b/�⚤1212��3030 ���ƣ�
- ����(y��ng)���������b3030
- ��С/�ߴ�0.118" �L(zh��ng) x 0.118" ����3.00mm x 3.00mm��
- �߶� - ���b�����ֵ��0.031"��0.80mm��
ُ(g��u)�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
S2-STW8C2SB���P(gu��n)��̖(h��o)
![P(gun)]](/imgs/dlgclose.gif "P(gun)]")
