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    13267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790

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  • 深圳市輝華拓展電子有限公司

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    0755-8279089118126117392陳玲玲18126117392深圳市福田區(qū)漢國(guó)中心55樓11010821

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  • 深圳市宇浩揚(yáng)科技有限公司

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  • 深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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  • RECTRON-瑞創(chuàng) 
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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

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    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • Rectron 
  • 原裝 
  • 2019+ 
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RM2N650IP PDF資料
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  • 制造商:RECTRON[Rectron Semiconductor]
  • PDF文件大?。?77.82 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù):共9頁(yè)
  • 描述:N-Channel Super Junction Power MOSFET
RM2N650IP技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Rectron
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-251-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:2 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.5 Ohms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
  • Qg-柵極電荷:10 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:23 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Tube
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 商標(biāo):Rectron
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:2 S
  • 下降時(shí)間:11 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:3 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:800
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:65 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:6 ns
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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