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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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PHP191NQ06LT PDF資料
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- 制造商:PHILIPS[NXP Semiconductors]
- PDF文件大小:91.94 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共13頁(yè)
- 描述:Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology
PHP191NQ06LT技術(shù)規(guī)格
- 制造商:NXP
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- Id-連續(xù)漏極電流:75 A
- Vds-漏源極擊穿電壓:55 V
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.7 mOhms
- 晶體管極性:N-Channel
- Vgs-柵源極擊穿電壓 :15 V
- 最大工作溫度:+ 175 C
1000
- Pd-功率耗散:300 W
- 安裝風(fēng)格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-220-3
- 封裝:Rail
- 商標(biāo):NXP Semiconductors
- 通道模式:Enhancement
- 配置:Single
- 下降時(shí)間:178 ns
- 最小工作溫度:- 55 C
- 上升時(shí)間:232 ns
- 工廠包裝數(shù)量:50
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:273 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:63 ns
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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