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    PH252001B-1R0MS

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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PH2520U PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:NXP[NXP Semiconductors]
  • PDF文件大小:203.78 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共12頁
  • 描述:N-channel TrenchMOS ultra low level FET
PH2520U技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:NXP
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • Id-連續(xù)漏極電流:100 A
  • Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
  • Rds On-漏源導通電阻:2.7 mOhms
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vgs-柵源極擊穿電壓 :10 V
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:62.5 W
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:LFPAK-4
  • 商標:NXP Semiconductors
  • 通道模式:Enhancement
  • 配置:Single Triple Source
  • 下降時間:234 ns
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 上升時間:240 ns
  • 典型關(guān)閉延遲時間:318 ns
  • 典型接通延遲時間:34 ns
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