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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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P06P03LDG PDF資料
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- 制造商:ETC1[List of Unclassifed Manufacturers]
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- 描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
P06P03LDG技術規(guī)格
- 商品類型MOS(場效應管)
- 漏源電壓(Vdss)-30V
- 連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時)12A(Tc)
- 柵源極閾值電壓3V @ 250uA
- 漏源導通電阻75mΩ @ 10A,4.5V
- 最大功率耗散(Ta=25°C)48W(Tc)
- 類型P溝道
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