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  • 制造商：NIKOSEM[NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.]
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  • 描述：P-Channel Logic Level Enhancement
P06P03LCG技術(shù)規(guī)格
  • 商品類型MOS(場效應(yīng)管)
  • 漏源電壓（Vdss）30V
  • 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）3.5A
  • 柵源極閾值電壓3V @ 250uA
  • 漏源導通電阻45mΩ @ 3.5A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）780mW
  • 類型P溝道
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