�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
MRF5812LF-CP
- Advanced Semiconductor, Inc.��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 2560��
- ԭ�b��Ʒ��
-
MRF5812LF-CP PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Advanced Semiconductor, Inc.
- PDF�ļ�������23.57 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����1�
- ���������l(RF)�p�O���w�� RF Transistor
MRF5812LF-CP���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Advanced Semiconductor, Inc.
- �a(ch��n)Ʒ�N�:���l(RF)�p�O���w��
- RoHS:��
- ϵ��:MRF5812LF
- ���w�����:Bipolar
- ���g(sh��):Si
- ���w�ܘO��:NPN
- ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:50
- ��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:15 V
- �l(f��)��O - ���O늉� VEBO:2.5 V
- ��늘O�B�m(x��)���:200 mA
- ��С�����ض�:-
- ������ض�:-
- ����:-
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:SO-8
- ���b:Bulk
- �����l��:5 GHz
- ݔ������:-
- �̘�(bi��o):Advanced Semiconductor, Inc.
- ���ֱ��늼�늘O���:200 mA
- Pd-���ʺ�ɢ:1.25 W
- �a(ch��n)Ʒ���:RF Bipolar Transistors
- ���S���b��(sh��)��:1
- ��e:Transistors
- �����:74 mg
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
MRF5812LF-CP���P(gu��n)��̖
![P(gun)]](/imgs/dlgclose.gif "P(gun)]")
