�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
JDP2S12CR(TE85L,Q
��2�l������̖��Ϣ
- Toshiba��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 2560��
- ԭ�b��Ʒ��
-
JDP2S12CR(TE85L,Q PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Toshiba Semiconductor and Storage
- PDF�ļ���С��195.54 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����5�
- ������RF DIODE PIN 180V S-FLAT
JDP2S12CR(TE85L,Q���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ��(bi��o)��(zh��n)���b��3,000
- e�������댧(d��o)�w�a(ch��n)Ʒ
- ��ͥ��RF ���O��
- ϵ�У�-
- ���b��������TR��
- ���O����ͣ�PIN - ��
- 늉� - ��ֵ�������ֵ����180V
- ��� - ���ֵ��1A
- ��ͬ?Vr��F(xi��n) �r(sh��)����ݣ�1.3pF @ 40V��1MHz
- ��ͬ?If��F(xi��n) �r(sh��)����裺700 ���W @ 10mA��100MHz
- ���ʺ�ɢ�����ֵ����-
- ���b/�⚤��SOD-123F
- ����(y��ng)���������b��S-FLAT��1.6x3.5��
- �������Q��JDP2S12CR(TE85L,Q)JDP2S12CR(TE85L,QMJDP2S12CR(TE85LQ)TRJDP2S12CR(TE85LQ)TR-NDJDP2S12CR(TE85LQMTRJDP2S12CR(TE85LQMTR-NDJDP2S12CR(TE85LQTRJDP2S12CRTE85LQ
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
JDP2S12CR(TE85L���P(gu��n)��̖
![P(gun)]](/imgs/dlgclose.gif "P(gun)]")
