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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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J111RLRAG PDF資料
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- 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大?。?5.55 Kbytes
- PDF文件頁數:共5頁
- 描述:JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion
J111RLRAG技術規(guī)格
- 標準包裝:2,000
- 類別:分立半導體產品
- 家庭:JFET(結點場效應
- 系列:-
- 包裝:帶卷(TR)
- FET 類型:N 溝道
- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):35V
- 漏源極電壓(Vdss):-
- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):20mA @ 15V
- 漏極電流(Id) - 最大值:-
- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 1µA
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):-
- 電阻 - RDS(開):30 歐姆
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商器件封裝:TO-92-3
- 功率 - 最大值:350mW
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