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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IRLML6302TRPBF PDF資料
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- 制造商：IRF[International Rectifier]
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- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：HEXFET?? Power MOSFET
IRLML6302TRPBF技術(shù)規(guī)格
- 封裝/外殼：SOT23
- FET 類型：P 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：780mA（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：600 毫歐 @ 610mA，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：3.6nC @ 4.45V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：97pF @ 15V
- 功率耗散（最大值）：540mW（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 系列：HEXFET?
- FET類型：P 溝道
- 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：780mA（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.7V，4.5V
- 不同Id時的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：3.6nC @ 4.45V
- 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：97pF @ 15V
- 不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：600 毫歐 @ 610mA，4.5V
- 封裝形式Package：SOT-23
- 極性Polarity：P-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS：20V
- 連續(xù)漏極電流ID：0.78A
- 供應商器件封裝：Micro3?/SOT-23
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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