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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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IPW60R060P7XKSA1 PDF資料
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  • 制造商：Infineon Technologies
  • PDF文件大小：1.26 Mbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共14頁
  • 描述：MOSFET HIGH POWER_NEW
IPW60R060P7XKSA1技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-247-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:48 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:49 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:67 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:164 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標(biāo)名:CoolMOS
  • 封裝:Tube
  • 系列:CoolMOS P7
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 下降時間:23 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:12 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:240
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:79 ns
  • 典型接通延遲時間:23 ns
  • 零件號別名:IPW60R060P7 SP001647042
  • 單位重量:6 g
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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