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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IPU80R4K5P7AKMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?.39 Mbytes
- PDF文件頁數(shù):共13頁
- 描述:MOSFET
IPU80R4K5P7AKMA1技術規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術:Si
- 安裝風格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-251-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
- Id-連續(xù)漏極電流:1.5 A
- Rds On-漏源導通電阻:4.5 Ohms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
- Qg-柵極電荷:4 nC
- 最小工作溫度:- 50 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:13 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標名:CoolMOS
- 封裝:Tube
- 高度:6.22 mm
- 長度:6.73 mm
- 系列:CoolMOS P7
- 寬度:2.38 mm
- 商標:Infineon Technologies
- 下降時間:80 ns
- 產品類型:MOSFET
- 上升時間:15 ns
- 工廠包裝數(shù)量:1500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關閉延遲時間:60 ns
- 典型接通延遲時間:15 ns
- 零件號別名:IPU80R4K5P7 SP001422748
- 單位重量:340 mg
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