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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
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IPP65R150CFD PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大?。?823.85 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共20頁
- 描述:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPP65R150CFD技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-220-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
- Id-連續(xù)漏極電流:22.4 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:135 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:86 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:195.3 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:CoolMOS
- 封裝:Tube
- 高度:15.65 mm
- 長度:10 mm
- 系列:CoolMOS CFD2
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 寬度:4.4 mm
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 下降時(shí)間:5.6 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:7.6 ns
- 工廠包裝數(shù)量:500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:52.8 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:12.4 ns
- 零件號(hào)別名:IPP65R150CFDXKSA1 IPP65R15CFDXK SP000907024
- 單位重量:6 g
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