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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IKD15N60RATMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?.71 Mbytes
- PDF文件頁數:共17頁
- 描述:IGBT 晶體管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
IKD15N60RATMA1技術規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產品種類:IGBT 晶體管
- RoHS:是
- 技術:Si
- 封裝 / 箱體:TO-252-3
- 安裝風格:SMD/SMT
- 配置:Single
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
- 集電極—射極飽和電壓:1.65 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
- 在25 C的連續(xù)集電極電流:30 A
- Pd-功率耗散:250 W
- 最小工作溫度:- 40 C
- 最大工作溫度:+ 175 C
- 系列:RC
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 商標:Infineon Technologies
- 柵極—射極漏泄電流:100 nA
- 產品類型:IGBT Transistors
- 工廠包裝數量:2500
- 子類別:IGBTs
- 商標名:TRENCHSTOP
- 零件號別名:IKD15N60R SP000964632
- 單位重量:334 mg
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