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FD600R12KF4NOSA1 PDF資料
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  • 制造商：Infineon Technologies
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  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共5頁(yè)
  • 描述：IGBT MODULE 1200V 600A
FD600R12KF4技術(shù)規(guī)格
  • 產(chǎn)品種類：IGBT 模塊
  • 產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
  • 配置：Single Dual Emitter Dual Collector
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
  • 集電極—射極飽和電壓：2.7 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流：600 A
  • 柵極—射極漏泄電流：400 nA
  • 功率耗散：3.9 kW
  • 最大工作溫度：+ 150 C
  • 封裝 / 箱體：IHM130
  • 商標(biāo)：Infineon Technologies
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
  • 最小工作溫度：- 40 C
  • 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
  • 工廠包裝數(shù)量：8
  • ROHS： 含鉛
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