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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
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DMHC3025LSDQ-13 PDF資料
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- 制造商:Diodes Incorporated
- PDF文件大小:504.32 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共9頁
- 描述:MOSFET 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP
DMHC3025LSDQ-13技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Diodes Incorporated
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:SOIC-8
- 通道數(shù)量:4 Channel
- 晶體管極性:N-Channel, P-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
- Id-連續(xù)漏極電流:6 A, 4.2 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:25 mOhms, 50 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
- Qg-柵極電荷:11.7 nC, 11.4 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:1.5 W
- 配置:Quad
- 通道模式:Enhancement
- 資格:AEC-Q101
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 系列:DMHC3025
- 晶體管類型:2 N-Channel, 2 P-Channel
- 商標(biāo):Diodes Incorporated
- 下降時(shí)間:8.7 ns, 13.5 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:15 ns, 4.9 ns
- 工廠包裝數(shù)量:2500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17.5 ns, 28.2 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:11.2 ns, 7.5 ns
- 單位重量:74 mg
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DMHC3025LSDQ-13相關(guān)型號(hào)