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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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CP798X-CPDM302PH-CT PDF資料
- 資料下載
- 制造商：Central Semiconductor Corp
- PDF文件大?。?43.73 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共4頁
- 描述：MOSFET P-CH 30V
CP798X-CPDM302PH-CT技術(shù)規(guī)格
- 包裝托盤
- 系列-
- 零件狀態(tài)有源
- FET 類型P 通道
- 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）2.4A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
- 不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）91 毫歐 @ 1.2A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）1.4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）9.6nC @ 5V
- Vgs（最大值）12V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）800pF @ 10V
- FET 功能-
- 功率耗散（最大值）-
- 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝模具
- 封裝/外殼模具
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