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    BSC009NE2LSATMA1

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    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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BSC009NE2LSATMA1 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:Infineon Technologies
  • PDF文件大?。?.36 Mbytes
  • PDF文件頁數(shù):共13頁
  • 描述:MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC009NE2LSATMA1技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TDSON-8
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:100 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:168 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:96 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 資格:AEC-Q101
  • 商標名:OptiMOS
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1.27 mm
  • 長度:5.9 mm
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:5.15 mm
  • 商標:Infineon Technologies
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:85 S
  • 下降時間:19 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:33 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:5000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:48 ns
  • 典型接通延遲時間:10 ns
  • 零件號別名:BSC009NE2LS BSC9NE2LSXT SP000893362
  • 單位重量:119 mg
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