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    BLX13C

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    0755-8257321018124040553楊丹妮0755-82573210深圳市福田區(qū)中航路都會軒240611012658

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  • 深圳市輝華拓展電子有限公司

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    0755-8322300313826514222余先生,張先生0755-83249919深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟31611011818

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  • 深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司

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  • 深圳誠思涵科技有限公司

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  • 深圳市芯世界半導體有限公司

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    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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BLX13C PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:ASI[Advanced Semiconductor]
  • PDF文件大?。?4.08 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共1頁
  • 描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLX13C技術規(guī)格
  • 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
  • 產(chǎn)品種類:射頻(RF)雙極晶體管
  • RoHS:
  • 晶體管類型:Bipolar Power
  • 技術:Si
  • 晶體管極性:NPN
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min:10
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:36 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V
  • 集電極連續(xù)電流:3 A
  • 最小工作溫度:- 65 C
  • 最大工作溫度:+ 200 C
  • 安裝風格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:SOT-120
  • 封裝:Tray
  • 工作頻率:28 MHz
  • 類型:RF Bipolar Power
  • 商標:Advanced Semiconductor, Inc.
  • 最大直流電集電極電流:9 A
  • Pd-功率耗散:73 W
  • 產(chǎn)品類型:RF Bipolar Transistors
  • 工廠包裝數(shù)量:1
  • 子類別:Transistors
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