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AOB2910L PDF資料
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  • 制造商:ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
  • PDF文件大?。?82.69 Kbytes
  • PDF文件頁數:共2頁
  • 描述:isc N-Channel MOSFET Transistor
AOB2910L技術規(guī)格
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta),30A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1190pF @ 50V
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),50W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23.5 毫歐 @ 20A,10V
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak)
  • 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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