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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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ALD1101BSAL PDF資料
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- 制造商:ALD[Advanced Linear Devices]
- PDF文件大小:60.53 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共6頁(yè)
- 描述:DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR
ALD1101BSAL技術(shù)規(guī)格
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 陣列
- 系列:-
- 包裝:管件
- FET 類型:2 N 溝道(雙)配對(duì)
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓(Vdss):10.6V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40mA
- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):-
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):-
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):-
- 功率 - 最大值:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC
- 其它名稱:1014-1217
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