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2SC5566-TD-E PDF資料
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制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
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描述:Bipolar Transistor
2SC5566-TD-E技術(shù)規(guī)格
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
RoHS: 是
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PCP-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: - 50 V, 50 V
集電極—基極電壓 VCBO: - 50 V, 100 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: - 6 V, 6 V
集電極—射極飽和電壓: - 105 V, 85 V
增益帶寬產(chǎn)品fT: 360 MHz, 400 MHz
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: 2SC5566
直流電流增益 hFE 最大值: 560
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標(biāo): ON Semiconductor
集電極連續(xù)電流: - 4 A, 4 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 200
Pd-功率耗散: 3.5 W
產(chǎn)品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: Transistors
單位重量: 51.500 mg
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