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華人胡正明獲美國最高技術(shù)獎：發(fā)明FinFET

  • 發(fā)布日期：2015-12-24 14:28
新聞詳細
美國東部時間22日，2015年美國最高科技獎獲獎名單公布，包括9名國家科學(xué)獎獲得者（National Medal of Science）和8名國家技術(shù)和創(chuàng)新獎（National Medal of Technology and Innovation）獲得者。
其中美籍華人科學(xué)家胡正明榮獲年度國家技術(shù)和創(chuàng)新獎。

胡正明教授是鰭式場效晶體管（FinFET）的發(fā)明者，如今三星、臺積電能做到14nm/16nm都依賴這項技術(shù)。他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺灣長大，后來考入加州大學(xué)伯克利分校。
在華為海思麒麟950的發(fā)布會上，胡正明教授曾現(xiàn)身VCR（視頻點擊），據(jù)他介紹，F(xiàn)inFET的兩個突破，一是把晶體做薄后解決了漏電問題，二是向上發(fā)展，晶片內(nèi)構(gòu)從水平變成垂直。
胡認為，F(xiàn)inFET的真正影響是打破了原來英特爾對全世界宣布的將來半導(dǎo)體的限制，這項技術(shù)現(xiàn)在仍看不到極限。
2010年后，Bulk CMOS工藝技術(shù)在20nm走到盡頭，胡教授的FinFET和FD-SOI工藝發(fā)明得以使摩爾定律在今天延續(xù)傳奇。

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