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Rohs：Lead free / RoHS Compliant

標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特點(diǎn)：Logic Level Gate

漏極至源極電壓（VDSS）：20V

電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：1.7A

Rds（最大）@ ID，VGS：180 mOhm @ 930mA, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：700mV @ 250μA

柵極電荷（Qg）@ VGS：3.4nC @ 4.5V

輸入電容（Ciss）@?Vds的：160pF @ 15V

功率 - 最大：625mW

安裝類型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3

包裝材料 ：Tape & Reel (TR)

包裝：3SOT-23

通道模式：Enhancement

最大漏源電壓：20 V

最大連續(xù)漏極電流：1.7 A

RDS -于：[email protected] mOhm

最大門源電壓：±12 V

典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：2.4 ns

典型上升時(shí)間：4.2 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：7.8 ns

工作溫度：-55 to 150 °C

安裝：Surface Mount

標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel

最大門源電壓：±12

包裝寬度：1.4(Max)

PCB：3

最大功率耗散：806

最大漏源電壓：20

歐盟RoHS指令：Compliant

最大漏源電阻：[email protected]

每個(gè)芯片的元件數(shù)：1

最低工作溫度：-55

供應(yīng)商封裝形式：SOT-23

標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：SOT-23

最高工作溫度：150

渠道類型：N

包裝長度：3.04(Max)

引腳數(shù)：3

包裝高度：1.02(Max)

最大連續(xù)漏極電流：1.7

封裝：Tape and Reel

鉛形狀：Gull-wing

FET特點(diǎn)：Logic Level Gate

安裝類型：Surface Mount

電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：1.7A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：700mV @ 250μA

封裝/外殼：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3

開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：180 mOhm @ 930mA, 4.5V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：625mW

漏極至源極電壓（Vdss）：20V

輸入電容（Ciss ） @ VDS：160pF @ 15V

閘電荷（Qg ） @ VGS：3.4nC @ 4.5V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工廠包裝數(shù)量：10000

產(chǎn)品種類：MOSFET

晶體管極性：N-Channel

配置：Single

源極擊穿電壓：+/- 12 V

連續(xù)漏極電流：1.7 A

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

RDS（ON）：180 mOhms

功率耗散：625 mW

最低工作溫度：- 55 C

上升時(shí)間：4.2 ns

最高工作溫度：+ 150 C

漏源擊穿電壓：20 V