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制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

產(chǎn)品種類:射頻(RF)雙極晶體管

RoHS:是

晶體管類型:Bipolar Power

技術:Si

晶體管極性:NPN

直流集電極/Base Gain hfe Min:10

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:18 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:3.5 V

集電極連續(xù)電流:12 A

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

配置:Single

安裝風格:Screw Mount

封裝 / 箱體:M113

封裝:Tray

工作頻率:50 MHz

類型:RF Bipolar Power

商標:Advanced Semiconductor, Inc.

Pd-功率耗散:183 W

產(chǎn)品類型:RF Bipolar Transistors

子類別:Transistors